基本元器件选型.md

基本元器件选型

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电阻

不同封装的参数

英制	公制	长 (mm)	宽 (mm)	高 (mm)	额定功率 (W)	耐压 (V)
0201	0603	0.60±0.05	0.30±0.05	0.23±0.05	1/20	25
0402	1005	1.00±0.10	0.50±0.10	0.30±0.10	1/16	50
0603	1608	1.60±0.15	0.80±0.15	0.40±0.10	1/10	50
0805	2012	2.00±0.20	1.25±0.15	0.50±0.10	1/8	150
1206	3216	3.20±0.20	1.60±0.15	0.55±0.10	1/4	200
1210	3225	3.20±0.20	2.50±0.20	0.55±0.10	1/3	200
1812	4832	4.50±0.20	3.20±0.20	0.55±0.10	1/2	200
2010	5025	5.00±0.20	2.50±0.20	0.55±0.10	3/4	200
2512	6432	6.40±0.20	3.20±0.20	0.55±0.10	1	200

标准电阻取值

电容

	铝电解电容	钽电容	陶瓷电容
电容量	0.1uF-3F	0.1uF-1000uF	0.5pF-100uF
极性	有	有	无
耐压	5V-500V	2V-50V	2V-1000V
ESR	几十毫欧 -2.5 欧姆 （100KHZ/25°C）	几十毫欧-几百毫欧（100KHZ/25°C）	几毫欧-几百毫欧（100KHZ/25°C）
ESL	不超过 100nH	2nH 左右	1-2nH
工作频率范围	低频滤波，小于 600KHz	中低频滤波，几百 KHZ-几 MHz	高频滤波，几 MHZ-几 GHz
薄弱点	窄温度范围，电解液会挥发，纹波电流导致发热	必须降额使用，否则失效时火花四溅	焊接温度冲击容易导致失效，抗弯曲能力较差，不同材料温度特性差异巨大
建议	用于储能，低于 75°C 环境，不建议用于高频开关电源	耐压按２倍选择；15V 以上直流电压滤波不建议使用，特别是电源变化较快的场合，浪涌冲击失效显著	布线不要放在应力区，避开高温区域。

去耦 / 旁路电容的选择及布局：360° 详解去耦电容，真正的理解及在真正工程中的使用！

MOS

• S（Source）- 源极
• G（Gate）- 门极 / 栅极
• D（Drain）- 漏极
• 箭头指向门极为 N 沟道 MOS, 背向为 P 沟道
• 寄生二极管方向：电流方向与箭头沿线拐弯后的一致

关键参数：

1. 击穿电压 V_BRDSS
   • 随温度变化，应留足余量
2. 导通电阻 R_DS(on)
   • 导通电阻正温度系数，适合并联工作
   • 导通电阻越小，导通损耗越小
   • 导通电阻越小，Qg就越大，相应的开关速度变慢
   • 带来的开关损耗越大，高频工作下需要折中考虑
3. 最大结温
   • 永远不能超过最大结温
   • 只能测量壳温后通过热阻计算而得
4. 动态电容和 Qg
   • 不是固定值，取决于工作条件
   • 作为开关时希望快速打开，需要一个驱动芯片提供瞬间大电流
   • 作为缓启动MOS，需要慢慢打开，有效抑制浪涌电流

NMOS

• 门极需要一个比源极更高的电压驱动
• 更好的性能
• 更多的选择
• 更低的成本

PMOS

• 门极需要一个比源极低的电压驱动
• 不需要更高的电压驱动，驱动简单

二极管

类型：

• 整流管
  • 普通二极管：恢复速度相对慢，不适用于高频电路
  • 超快恢复二极管
  • 肖特基二极管：应用于 <200V 的场景
• 稳压管：持续击穿，应用于低功率场景
• TVS：瞬间击穿，应用于高功率场景

电感

关键参数：

• 电感量
  • 小电感量:低 DCR，高饱和电流，更好的动态，更大的纹波电流
  • 大电感量：小纹波电流
• 额定电流
• 饱和电流
• DCR

参考与致谢

• 电源大师课连载（2）| 你不知道的电阻、电容小事儿
• 贴片电阻封装、尺寸、功率对应表
• 360° 详解去耦电容，真正的理解及在真正工程中的使用！